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压阻式加速度传感器


单晶硅材料受到力的作用后,其电阻率(或电阻)就会发生变化,这种现象称为压阻效应。压阻式加速度传感器是利用固体的压阻效应制成的一种测量装置。 压阻式加速度传感器利用单晶硅作为悬臂梁,在其根部扩散出四个电阻,当悬臂梁自由端的质量块受有加速度作用时,悬臂梁受到弯矩作用,产生应力,使四个电阻阻值发生变化。

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产品描述

特点:

利用单晶硅作为悬臂梁, 在其根部扩散出四个电阻,当悬臂梁自由端的质量块受有加速度作用时,悬臂梁受到弯矩作用,产生应力,使四个电阻阻值发生变化。最小重量为6g,最大量程范围6000g。

 

应用:

恶劣环境、事故、碰撞测试、振动/ 冲击测试、航天航空、形态分析、机械设备、仪器运动控制

 

主要技术指标:

型号 敏度 量程 频率 尺寸 重量 供电
1B101 2mV/m·s-2@10Vdc 20m·s-2 0 ~ 150Hz(±5%) 29×26×12mm 36g (8 ~ 16)Vdc
1B102 1.5mV/m·s-2@10Vdc 50m·s-2 0 ~ 250Hz(±5%) 29×26×12mm 36g (8 ~ 16)Vdc
1B103 0.6mV/m·s-2@10Vdc 100m·s-2 0 ~ 400Hz(±5%) 29×26×12mm 36g (8 ~ 16)Vdc
1B104 0.3mV/m·s-2@10Vdc 200m·s-2 0 ~ 600Hz(±5%) 29×26×12mm 36g (8 ~ 16)Vdc
1B105 0.1mV/m·s-2@5Vdc 500m·s-2 0 ~ 1000Hz(±5%) 12×10×6.5mm 6g (2 ~ 10)Vdc
1B106 0.05mV/m·s-2@5Vdc 1000m·s2 0 ~ 1200Hz(±5%) 12×10×6.5mm 6g (2 ~ 10)Vdc
1B107 0.04mV/m·s-2@5Vdc 2000m·s-2 0 ~ 1400Hz(±5%) 12×10×6.5mm 6g (2 ~ 10)Vdc
1B108 0.02mV/m·s-2@5Vdc 5000m·s-2 0 ~ 2000Hz(±5%) 12×10×6.5mm 6g (2 ~ 10)Vdc
1B109 0.008mV/m·s-2@5Vdc 20000m·s-2 0 ~ 4500Hz(±5%) 12×10×6.5mm 6g (2 ~ 10)Vdc
1B110 0.005mV/m·s-2@5Vdc 60000m·s-2 0 ~ 5000Hz(±5%) 12×10×6.5mm 6g (2 ~ 10)Vdc

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